| 主权项 |
1.一种用来程式化可执行2位元运算的一电荷陷入非挥发性记忆胞之方法,该方法包括:施加一正源极电压到该电荷陷入非挥发性记忆胞的一源极之上;施加一正汲极电压到该电荷陷入非挥发性记忆胞的一汲极之上,以使得该正汲极电压会大于该正源极电压;以及将该电荷陷入非挥发性记忆胞的一基底接地。2.如申请专利范围第1项所述之电荷陷入非挥发性记忆胞之程式化方法,更加包括:施加一正闸极电压到该电荷陷入非挥发性记忆胞的一多晶矽闸极之上。3.如申请专利范围第2项所述之电荷陷入非挥发性记忆胞之程式化方法,其中该正闸极电压系大约在6V到12V的范围之内。4.如申请专利范围第1项所述之电荷陷入非挥发性记忆胞之程式化方法,其中该正源极电压系大约在0.5V到3V的范围之内。5.如申请专利范围第1项所述之电荷陷入非挥发性记忆胞之程式化方法,其中该正汲极电压系大于该正源极电压加上一电压因素的一结合电压。6.如申请专利范围第5项所述之电荷陷入非挥发性记忆胞之程式化方法,其中该电压因素大约为2V。7.如申请专利范围第1项所述之电荷陷入非挥发性记忆胞之程式化方法,其中该电荷陷入非挥发性记忆胞系为一n通道记忆胞。8.如申请专利范围第1项所述之电荷陷入非挥发性记忆胞之程式化方法,其中该电荷陷入非挥发性记忆胞系包括一电荷陷入层,且该电荷陷入层系从氮化矽(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)、及氧化铪(HfO2)所组成的一群组中所选出。9.一种用来程式化一电荷陷入非挥发性记忆体阵列之方法,该方法包括:从该电荷陷入非挥发性记忆体阵列中,选出一即将被程式化的电荷陷入非挥发性记忆胞;施加一第一正电压到连接至该电荷陷入非挥发性记忆胞的一源极的一第一本地位元线;施加一第二正电压到连接至该电荷陷入非挥发性记忆胞的一汲极的一第二本地位元线,以使得该第二正电压会大于该第一正电压;以及将该电荷陷入非挥发性记忆胞的一基底接地。10.如申请专利范围第9项所述之电荷陷入非挥发性记忆体阵列之程式化方法,更加包括:施加一第三正电压到连接至即将被程式化的该电荷陷入非挥发性记忆胞的一多晶矽闸极的一字元线。11.如申请专利范围第10项所述之电荷陷入非挥发性记忆体阵列之程式化方法,其中该第三正电压系大约在6V到12V的范围之内。12.如申请专利范围第9项所述之电荷陷入非挥发性记忆体阵列之程式化方法,其中该第一正电压系大约在0.5V到3V的范围之内。13.如申请专利范围第9项所述之电荷陷入非挥发性记忆体阵列之程式化方法,其中该第二正电压系大于该第一正电压加上一电压因素的一结合电压。14.如申请专利范围第13项所述之电荷陷入非挥发性记忆体阵列之程式化方法,其中该电压因素大约为2V。15.如申请专利范围第9项所述之电荷陷入非挥发性记忆体阵列之程式化方法,其中该电荷陷入非挥发性记忆胞系为一虚接地阵列。16.一种用来程式化可执行2位元运算的一电荷陷入非挥发性记忆胞之方法,该方法包括:将一源极端点连接至该电荷陷入非挥发性记忆胞的一源极,并且将一正源极电压施加至该电荷陷入非挥发性记忆胞的该源极端点;将一汲极端点连接至该电荷陷入非挥发性记忆胞的一汲极,并且将一正汲极电压施加至该电荷陷入非挥发性记忆胞的该汲极端点,以使得该正汲极电压会大于该正源极电压;将一闸极端点连接至该电荷陷入非挥发性记忆胞的一多晶矽闸极,并且将一正闸极电压施加至该电荷陷入非挥发性记忆胞的该闸极端点;以及将一基底端点连接至该电荷陷入非挥发性记忆胞的一基底,并且将该电荷陷入非挥发性记忆胞的该基底端点接地。17.如申请专利范围第16项所述之电荷陷入非挥发性记忆胞之程式化方法,其中该正闸极电压系大约在6V到12V的范围之内。18.如申请专利范围第16项所述之电荷陷入非挥发性记忆胞之程式化方法,其中该正源极电压系大约在0.5V到3V的范围之内。19.如申请专利范围第16项所述之电荷陷入非挥发性记忆胞之程式化方法,其中该正汲极电压系大于该正源极电压加上一电压因素的一结合电压。20.如申请专利范围第19项所述之电荷陷入非挥发性记忆胞之程式化方法,其中该电压因素大约为2V。21.如申请专利范围第16项所述之电荷陷入非挥发性记忆胞之程式化方法,其中该电荷陷入非挥发性记忆胞系为一n通道记忆胞。图式简单说明:图1系绘示由根据本发明一实施例的一种上升VS通道起始二次电子注入(CHISEL)程式化方法所程式化的一个电荷陷入非挥发性记忆胞的剖面图。图2系绘示一个程式化速度比较图,用来说明做为根据本发明一实施例的程式化时间之函数的电荷陷入非挥发性记忆胞第一位元的临界电压差VT。图3系绘示一个通道程式化电流分析图,用来说明做为根据本发明一实施例的电荷陷入非挥发性记忆胞的汲极与源极之间的偏压之函数的通道程式化电流。图4系绘示一个第二位元效应比较图,用来说明做为根据本发明一实施例的电荷陷入非挥发性记忆胞的临界电压差之函数的第二位元的临界电压差。图5系绘示由根据本发明一实施例的一种上升VSCHISEL程式化方法所程式化的一个电荷陷入非挥发性记忆胞的范例。 |
