发明名称 | 处理装置 | ||
摘要 | 揭示一种在金属制的筒体状之处理容器内,来处理利用处理气体所加热的半导体晶圆等之被处理体的处理装置之改良的处理容器的构造。处理装置34是由:朝上下方向层积而互相连结的复数个区块体80、82、84所构成。在邻接的区块体之间设有真空隔热层86、88。藉此各区块体间的热传达受到抑制,且能个别地控制各区块体的温度,能量效率提升。 | ||
申请公布号 | TW200733197 | 申请公布日期 | 2007.09.01 |
申请号 | TW095138412 | 申请日期 | 2006.10.18 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 西本伸也;汤浅珠树 |
分类号 | H01L21/205(2006.01);C23C16/54(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |