| 主权项 |
1.一种调整分离闸极结构快闪记忆胞启始电压的 方法,包括下列步骤: 提供一基底并已形成隔离结构,以定义出主动区; 在该基底的主动区之通道表面,进行第一次离子布 植制程,以调整启始电压,其系以较低植入能量且 垂直基底的角度植入P型杂质;及 在该基底的主动区之通道内,进行第二次离子布植 制程,以植入抗击穿离子,其系以一较高植入能量 且垂直基底角度植入该抗击穿离子。 2.如申请专利范围第1项所述之调整分离闸极结构 快闪记忆胞启始电压的方法,其中形成该隔离结构 之步骤如下所述: 在该基底上形成一图案氮化矽层;及 以该氮化矽层为罩幕,在该基底上形成隔离结构。 3.如申请专利范围第1项所述之调整分离闸极结构 快闪记忆胞启始电压的方法,其中该隔离结构可为 浅沟渠隔离氧化结构、场氧化层或矽绝缘层之结 构。 4.如申请专利范围第1项所述之调整分离闸极结构 快闪记忆胞启始电压的方法,其中该第一次离子布 植制程中之植入离子为硼离子。 5.如申请专利范围第1项所述之调整分离闸极结构 快闪记忆胞启始电压的方法,其中该第一次离子布 植制程中之植入能量为40仟电子伏特。 6.如申请专利范围第1项所述之调整分离闸极结构 快闪记忆胞启始电压的方法,其中该第一次离子布 植制程中之植入剂量为41012/平方公分。 7.如申请专利范围第1项所述之调整分离闸极结构 快闪记忆胞启始电压的方法,其中该第二次离子布 植制程中之植入离子为硼离子。 8.如申请专利范围第1项所述之调整分离闸极结构 快闪记忆胞启始电压的方法,其中该该第二次离子 布植制程中之植入能量为90仟电子伏特。 9.如申请专利范围第1项所述之调整分离闸极结构 快闪记忆胞启始电压的方法,其中该该第二次离子 布植制程中之植入剂量为41012/平方公分。 10.如申请专利范围第1项所述之调整分离闸极结构 快闪记忆胞启始电压的方法,其中完成该第二次离 子布植制程之步骤后,即可在该基底表面上制作积 体电路各元件之后续半导体制程。 11.一种调整分离闸极结构快闪记忆胞启始电压的 方法,包括下列步骤: 提供一基底并已形成隔离结构,以定义出主动区; 在该基底的主动区之通道内,进行第一次离子布植 制程,以植入抗击穿离子,其系以一较高植入能量 且垂直基底角度植入该抗击穿离子;及 在该基底的主动区之通道表面,进行第二次离子布 植制程,以调整启始电压,其系以较低植入能量且 垂直基底的角度植入P型杂质。 12.如申请专利范围第11项所述之调整分离闸极结 构快闪记忆胞启始电压的方法,其中形成该隔离结 构之步骤如下所述: 在该基底上形成一图案氮化矽层;及 以该氮化矽层为罩幕,在该基底上形成隔离结构。 13.如申请专利范围第11项所述之调整分离闸极结 构快闪记忆胞启始电压的方法,其中该隔离结构可 为浅沟渠隔离氧化结构、场氧化层或矽绝缘层之 结构。 14.如申请专利范围第11项所述之调整分离闸极结 构快闪记忆胞启始电压的方法,其中该第一次离子 布植制程中之植入离子为硼离子。 15.如申请专利范围第11项所述之调整分离闸极结 构快闪记忆胞启始电压的方法,其中该第一次离子 布植制程中之植入能量为90仟电子伏特。 16.如申请专利范围第11项所述之调整分离闸极结 构快闪记忆胞启始电压的方法,其中该第一次离子 布植制程中之植入剂量为41012/平方公分。 17.如申请专利范围第11项所述之调整分离闸极结 构快闪记忆胞启始电压的方法,其中该第二次离子 布植制程中之植入离子为硼离子。 18.如申请专利范围第11项所述之调整分离闸极结 构快闪记忆胞启始电压的方法,其中该第二次离子 布植制程中之植入能量为40仟电子伏特。 19.如申请专利范围第11项所述之调整分离闸极结 构快闪记忆胞启始电压的方法,其中该第二次离子 布植制程中之植入剂量为41012/平方公分。 20.如申请专利范围第11项所述之调整分离闸极结 构快闪记忆胞启始电压的方法,其中完成该第二次 离子布植制程之步骤后,即可在该基底表面上制作 积体电路各元件之后续半导体制程。 图式简单说明: 第1A图至第1D图为本发明调整快闪记忆胞之启始电 压的各步骤流程剖视图。 第2图为本发明使用另一种隔离结构的剖视图。 |
