发明名称 半导体记忆体及记忆体系统
摘要 每一记忆体区块具有数个记忆体胞元及连接于记忆体胞元之字线与位元线。预先充电切换器将此等位元线连接于预先充电线。切换器控制电路控制预先充电切换器之操作并设定于记忆体胞元之存取操作未实施之待用期间关闭连接切换器之切断功能。由于其于待用期间切断位元线与预先充电切换器之连接及位元线与感测放大器之连接,因此若短路故障出现于字线与位元线之间,其可防止泄漏电流自字线流至预先充电电压线等。
申请公布号 TW200814057 申请公布日期 2008.03.16
申请号 TW096126134 申请日期 2007.07.18
申请人 富士通股份有限公司 发明人 小林广之
分类号 G11C11/409(2006.01) 主分类号 G11C11/409(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本