| 摘要 |
[课题]本发明半导体记忆装置为提供，抑制记忆格面积增加，此外得到超高速读出时间，更当自我更新时，可得到长时间之更新间隔，高集积且超高速，更可以大幅减少资讯保持时之消费电力。[解决手段]1交叉点单元．2单元／位元方式所使用之DRAM，使用1交叉点6F2之双单元构造为位元线对BL、 及字元线对WL所有交叉点之对应位置配置记忆格MC，字元线WL之间隔的一半为F时，位元线对BL、 之位元线的间隔为大于2F并小于4F。更，记忆格MC之电晶体的源极、通道、汲极所形成矽电路板上动态区域AA，对于位元线对BL、 方向成为倾斜构成。 |
