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发明名称
形成半导体元件精细图案之方法
摘要
一种形成半导体元件精细图案之方法包括在包含基底层之半导体基板上面形成光阻图案。在该光阻图案侧壁上形成交联层。然后除去该光阻图案以形成包含该交联层的精细图案。使用该精细图案作为蚀刻遮罩来蚀刻基底层。因此,该基底层具有比最小间距小的尺寸。
申请公布号
TW200814146
申请公布日期
2008.03.16
申请号
TW096125546
申请日期
2007.07.13
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
郑载昌
分类号
H01L21/027(2006.01)
主分类号
H01L21/027(2006.01)
代理机构
代理人
桂齐恒;阎启泰
主权项
地址
韩国
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