嵌埋半导体晶片之陶瓷基板结构及其制法

摘要

一种嵌埋半导体晶片之陶瓷基板结构及其制法,其结构系包括:一承载板,该承载板具有一结合层,并具有两氧化金属层分别形成于该结合层之两表面上,且于至少一该氧化金属层中具有至少一开口,以露出部分之结合层;至少一半导体晶片,系容置于该开口中;一介电层,系形成于该具有容置半导体晶片之开口的氧化金属层之表面及该半导体晶片之主动表面;以及一线路层,系形成于该介电层上,与复数个导电盲孔,系形成于该介电层中,该导电盲孔系电性连接该线路层与该半导体晶片之主动表面,藉由该承载板中之氧化金属层与结合层以增加结构强度。