发明名称 УСТАНОВКА ПЛАЗМЕННОГО НАПЫЛЕНИЯ
摘要 Установка плазменного напыления, содержащая основной источник электрического питания, корпус с катодом и анодом, имеющим сквозное отверстие, системой подачи плазмообразующего газа, выполненной в виде отверстий, расположенных вокруг катода в держателе катода, шайбу из жаропрочного материала, систему подачи напыляемого порошкового материала, выполненную в виде отверстий, сопло, установленное последовательно с анодом и шайбой с образованием цилиндрического канала транспортировки плазмы к системе подачи порошкового материала, расположенной в стенке сопла, причем катод и анод подключены к основному источнику электрического питания, а отверстие анода размещено симметрично относительно оси корпуса, отличающаяся тем, что сопло связано с анодом дополнительного источника электрического питания, катод которого предназначен для присоединения к напыляемой поверхности.
申请公布号 RU2007100774(A) 申请公布日期 2008.07.20
申请号 RU20070100774 申请日期 2007.01.09
申请人 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) (RU) 发明人 Галышкин Николай Васильевич (RU);Коротких Владимир Михайлович (RU)
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
地址