半導体集積回路のモノリシック３次元集積化

摘要

様々なＣＭＯＳトランジスタおよびナノワイヤトランジスタを互いに接続するための階層間ビア、階層内ビア、およびメタル層を有する、ＣＭＯＳトランジスタの最下階層上に形成された最上階層ナノワイヤトランジスタを備える３次元集積回路。最上階層は、最初、第１のウエハ上の軽度にドープされた領域として開始し、その領域の上に酸化物層が形成されている。水素イオン注入は開裂界面を形成する。第１のウエハは、裏返され、ＣＭＯＳデバイスを有する第２のウエハに酸化接合され、開裂界面は、軽度にドープされた領域の一部が最下階層に結合されたままとなるように熱活性化される。ナノワイヤトランジスタは最上階層層内に形成される。最上階層ナノワイヤトランジスタのためのソースおよびドレインは、エピタキシャル成長中にその場（in-situ）でドープすることによって形成される。酸化接合の後、残りのプロセスステップは、金属インターコネクトにダメージを与えないように低い温度で行われる。