FLASH MEMORY DEVICE AND PROGRAM METHOD THEREOF

摘要

본 발명에 의한 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법은, 선택된 메모리 셀들을 복수의 프로그램 루프들을 통해 프로그램하는 단계, 그리고 상기 프로그램 단계에서 각각의 메모리 셀에서 유발될 문턱전압 산포의 이동 크기, 각각의 프로그램 루프에 적용될 프로그램 전압의 전압 증가분, 또는 상기 프로그램에서 요구되는 프로그램 루프의 개수에 따라서 상기 프로그램에 대한 검증 동작을 선택적으로 생략하는 단계를 포함한다.