| 摘要 |
L'invention concerne une cellule mémoire non volatile résistive comprenant un empilement Métal-Isolant-Métal comprenant deux électrodes et un isolant multicouche , placé entre lesdites deux électrodes, comprenant une couche mince d'oxyde permettant une transition résistive et une couche de réservoir de lacunes d'oxygène caractérisée en ce que l'empilement comprend de bas en haut : la électrode inférieure comprenant une couche métallique M1, l'isolant comprenant une couche d'oxyde métallique stœchiométrique I2 et une couche d'oxyde métallique sous stœchiométrique I2p formant ladite couche de réservoir de lacunes d'oxygène, la électrode supérieure comprenant une couche d'oxyde métallique I3 et une couche métallique M4, de sorte que la couche de réservoir de lacunes d'oxygène est intercalée entre deux couches d'oxydes métalliques I2 et I3 stœchiométriques. L'invention trouvera son application dans le domaine possiblement dans toutes les applications déjà couvertes par les mémoires non volatiles existantes ; notamment, les mémoires de type Flash. Elle peut aussi remplacer les mémoires traditionnelles statiques ou SRAM, de l'anglais « static random access memory ». L'invention trouvera également son application pour la réalisation de structures mémoires de type neuro-morphique ou pour des mémoires CBRAM pour l'acronyme anglais « Conductive Bridge Ramdom Access Memory ». |
