| 发明名称 | 具有沟槽-肖特基-势垒-肖特基-二极管的半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有沟槽‑肖特基‑势垒‑肖特基‑二极管的半导体装置(10)，其具有：第一导电类型的半导体体积(12)，所述半导体体积(12)具有敷设有金属层(14)的第一侧(16)以及至少一个在所述第一侧(16)中延伸并且至少部分地填充有金属的槽沟(18)。根据本发明，槽沟(18)的至少一个壁区段(56)和/或敷设有所述金属层(14)的第一侧(16)的位于所述槽沟(18)旁的至少一个区域(24)通过位于金属层(14)和半导体体积(12)之间的、由第二导电类型的第一半导体材料(26)制成的层分开。 | ||
| 申请公布号 | CN105957901A | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201610130285.X | 申请日期 | 2016.03.08 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | N·曲;A·格拉赫 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 郭毅 |
| 主权项 | 一种具有沟槽‑肖特基‑势垒‑肖特基‑二极管的半导体装置(10)，其具有：第一导电类型的半导体体积(12)，所述半导体体积(12)具有敷设有金属层(14)的第一侧(16)以及至少一个在所述第一侧(16)中延伸并且至少部分地填充有金属的槽沟(18)，其特征在于，所述槽沟(18)的至少一个壁区段(56)和/或敷设有所述金属层(14)的第一侧(16)的位于所述槽沟(18)旁的至少一个区域(24)具有位于所述金属层(14)和所述半导体体积(12)之间的、由第二导电类型的第一半导体材料制成的层(26)。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||