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发明名称 Integrated two transistor semiconductor device
摘要
申请公布号 US3316466(A) 申请公布日期 1967.04.25
申请号 US19640401931 申请日期 1964.10.06
申请人 STATNI VYZKUMNY USTAV SILNOPROUDE ELEKTROTECHNIKY 发明人 HUSA VACLAV;CIHELKA JAROSLAV;CERNY LADISLAV;KRIZ JOSEF;LADNAR JOSEF;LUXA FRANTISEK
分类号 H01L23/482;H01L27/00;H01L27/082;H03K17/04;H03K17/60 主分类号 H01L23/482
代理机构 代理人
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