发明名称 磁转换之方法及装置
摘要 说说明用以在第一磁性材料体与设有磁流通路之第二磁性材料体之间,使界定资讯之磁流耦合之装置。包括有具有转换区域之第三磁性材料体,其配置使在磁性上与第一磁材料体相接近而可使磁流往返耦合,且其一部份在磁性上与第二磁材料体内之磁流通路相接近而提供此磁流通路之磁流往返耦合。在所述诸实例中,第一磁材体系为一磁性储存媒体如磁带硬磁质层,而第二磁材体系为一软磁质转换磁芯。
申请公布号 TW166061 申请公布日期 1991.08.11
申请号 TW076103010 申请日期 1987.05.27
申请人 安培斯公司 发明人 贝维利.尔.高奇
分类号 G11B5/62 主分类号 G11B5/62
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种磁转换装置,用以依磁性方式使可界定之资讯与磁媒体相对耦合,包括有界定磁流经路之磁心,在使磁流循沿该经流边至边缘或由该经路流出之磁心各磁极间有非磁性空隙;一为磁性物质之衔铁系依磁性方式配置于该磁媒体附近以使磁流来去其间,并使其一部份跨越该磁心空隙上而于该空隙上产生均匀一致之磁阻而使连接磁经路使流往复;有偏压控制装置用以产生磁流流通于所述衔铁内而在衔铁内构成信号转移区界定连结于磁媒体与衔铁之间磁流之位置;以及控制器,用以变化该信号转移区在该衔铁内之位置。2.如申请专利范围第1项之磁转换装置,其中来自偏压控制装置之磁流在该衔铁内产生大体上不相同导磁性相邻区以提供所述之信号移区。3.如申请专利范围第2项之磁转换装置,其中相邻区之一已磁饱和,而其他区则为未饱和区。4.如申请专利范围第3项之磁转换装置,其中所述未饱和区通常无磁流。5.如申请专利范围第3项之磁转换装置,其中之偏压控制装置于磁心内产生磁流,而该磁流耦合至衔铁内,界定该信号转移区。6.如申请专利范围第5项之磁转换装置,其磁心包括有磁极件对,每一磁极件之特别导磁性皆依与磁心宽度尺寸相平行方向变化,磁极件之一之导磁性系依与宽度尺寸相平行方向增加,而另一磁极件之导磁性系依相反方向增加,又偏压控制装置于该等磁极件内产生相关之控制磁流,又用以使信号转转移区位置变化之控制器包括有控制装置使相关控制磁流相对量组依照不断变化之导磁性变化,从而使该信号转移区依与宽度尺寸相平行方向双方移动。7.如申请专利范围第6项之磁转换装置,其中之偏压控制装置包括有与每一磁极件相关之控制缩组。8.如申请专利范围第1项之磁转换装置,其中磁媒体及磁心同时依磁性方式与衔铁相接近,且于此时间内,在该媒体与磁心之间有相对移动,而且其中,在是项移动期间该衔铁定位于该媒体与磁心之间。9.如申请专利范园第1项之磁转换装置,其中用以使该信号转移区在衔铁内变之控制器,循沿衔铁内已定经路定时扫描该信号转移区。10.如申请专利范围第1项之磁转换装置,其衔铁至少与媒体和磁心其一相接触。11.如申请专利范围第1项之磁转换装置,其中有装置依磁性方式与磁心相耦合而产生及/或感测流通于磁心经路中之资讯界定磁流。12.如申请专利范围第1项之磁转换装置,其中用以使该信号转移区位置变化之控制器包括有装置,用以使磁心依非磁性空隙宽度尺寸方向与衔铁相移动。13.如申请专利范围第12项之磁转换装置,其中之移动装置包括有可旋转鼓,磁心即安装于其周边上,所述之衔铁系固定安装于此鼓周边附近。14.如申请专利范围第1项之磁转换装置,其磁心包括有两相向之磁心部份,每一部份有前端磁心依磁性方式耦合于衔铁上,其后端磁心依磁性方式与相关之前端磁心相耦合,其前端磁心界定其间之非磁空隙,其偏压控制装置包括有分别与每一后后端磁相关之控制绕组,用以提供控制磁流耦合至衔铁内,又其中之变换装置包括有变换信号绕组,以拦截流通于磁心经路内之磁流。15.如申请专利范围第14项之磁转换装置,其每一前端磁心提供有控制磁流经路,大体上循沿所述之变换器宽度方向伸展,又其中每一前端磁心之控制磁流经路其磁阻依变换器宽度相反方向逐渐增加。16.如申请专利范围第14项之磁转换装置,其两后端磁心之控制绕组相耦合而产生相同取向之相关控制磁流。17.如申请专利范围第14项之磁转换装置,其各后端磁心之控制绕组而提供彼此相对相反取向之控制磁流,界定由突入区所分隔之未饱和高度导磁变换区。18.如申请专利范围第14项之磁转换装置,其中之变换信号绕组及控制绕组之相关匝系依大体上彼此相垂直之平面伸展。19.如申请专利范围第14项之磁转换装置,其中各变换信号绕组及控制绕组之相关匝系依大体上彼此相平行之平面伸展。20.如申请专利范围第14项之磁转换装置,其后端磁心在与该控制磁流经路之横断面积较其前端磁心相对应横断面积为大,以防止该后端磁心被控磁流所饱和。21.如申请专利范围第14项之磁转换装置,其前端磁心系依相反定向楔段形式设置,其横断面积系非磁性空隙任一边侧之相反方向并循沿其宽度逐渐增加。22.如申请专利范围第21项之磁转换装置,其后端磁心系与依磁性方向相耦合之前端磁心相同定向楔段形式设置。23.如申请专利范围第14项之磁转换装置,其后端磁心系以其饱和密度较其前端磁心者为高之磁性质制成之。24.如申请专利范围第14项之磁转换装置,其中每一后端磁心皆有一内凹,詨置面对前端磁心之表面内向部份,用以藏纳控制绕组。25.如申请专利范围第14项之磁转换装置,其中每一后端磁心具有至少三相邻腿肢部份配置于该变换器宽度方向,并紧抵该等前端磁心,又其各控制绕组皆相耦合而在相邻各腿肢部份内产生相反取向之磁流,在相向各后端磁心之相对应腿肢部份内之磁流取向彼此相对反转。26.如申请专利范围第25项之磁性变换器,其中之控制绕组窗孔系构成于各两相邻腿肢部份之间,以藏纳取向相反之各控制绕组。27.如申请专利范围第25项之磁性变换器,其前后端磁心之形状大体上为矩形。28.如申请专利范围第25项之磁性变换器,其前后端磁心皆构成为相反取向之楔段,其横断面积在其宽度方向之空隙任一边侧依相反方向逐渐增加。29.一种电磁控制之磁性变换器,包括:两相对应磁性前端磁心部份,其各磁极界定一非磁空隙于其间;有磁性物质本体,与磁性前端磁心部份相对定位,以跨越该空隙上;两相对应磁性后端磁心部份,其各磁极依磁性方式与前端磁心部份之相对应部份相耦合;及控制绕组,分别与每一后端磁心部份相结合,循沿伸展于后端磁心内之经路提供磁控磁流,此前端磁心与该本体于跨越该空隙之范围内界定变换区。30.如申请专利范围第29项之磁性变换器,进一步包括有变换信号绕组,用以拦截伸展前端磁心内经路中变换信号磁流。31.如申请专利范围第29项之磁性变换器,其前端及后端磁心提供大体上循沿该空隙宽度上伸展之控制磁流经路,又其中每一前端磁心之控制磁流经路之磁阻系在其宽度上依相反方向逐渐增加。32.如申请专利范围第30项之磁性变换器,其中各控制及变换信号绕组分别配置以拦截伸展于变换器磁心内各大体上相垂直磁流经路。33.如申请专利范围第30项之磁性变换器,其中各控制及变换信号绕组之配置系用以拦截伸展于该变换器内大体上相平行之磁流经路。34.如申请专利范围第30项之磁性变换器,其中各前端磁心系为相反取向之楔段形式,其横断面积依其宽度上空隙任一边侧上相反方向豨增加;而各后端磁心系为与依磁性相耦合之前端磁心取向相同之楔段形式。35.一种电磁控制磁性变换器,包括有,两相对应磁性前端磁心,其各磁极界定有非碰性空隙于其间;磁性物质本体,与磁性前端磁心相对定位,而跨越该空隙上;两相对应磁性后端磁心,每一磁心在磁性上与一前端磁心相耦合,每一后端磁心至少设有三相邻腿肢部份配置于变换器宽度上,且抵紧该前端磁心;及控制绕组,分别配置于每两相邻腿肢部份,用以在每一后端磁心各相邻腿肢部份提供取向相反之磁控磁流,在相对应后端磁心各相对部份内磁流取向彼此相对反转,各控制磁流界定有变换区,伸展于跨越该空隙范围内伸展于该空隙上。36.如申请专利范围第35项之磁性变换器,进一步包括有变换信号绕组,用以拦戳伸展于该前端磁心内之变换信号磁流。37.如申请专利范围第35项之磁性变换器,其各相对应之前端和后端磁心之形状大体上呈矩形。38.如申请专利范围第35项之磁性变换器,其各相对应之前端和后端磁心构成为相反取向之楔段,其横断面积系依其宽度上空隙任一边侧相反方向豨增加。39.如申请专利范围第35项之磁性变换器,进一步包括有装置使各相反取向之控制磁流量値彼此相对变化,以使该变换器宽度上变换区位置变化。40.如申请专利范围第35项之磁性变换器,进一步包括有装置,用以使各相反向相反之控制电流施加于设置于每一后端磁心上各相邻控制绕组。41.一种变换磁头装置,用以使与含有磁性物质层之记录媒体相对之磁性储存资讯予以记录及/或重现,此装置包括有:磁心,包括有两磁极,界定磁流经路,且具有一非磁性空隙于其间;磁性物质本体,此本体之配置须置于磁性之与记录媒体及该磁心之空隙相接近之位置;有装置用以产生磁心内偏压控制磁流,此磁心耦合于磁性物质本体内,以在该本体内界定信号转移区,磁流即经由此区耦合于该本体与记录媒体之间;信号变换装置,依电磁方式与由该磁心所界定之磁流经路相耦合,以侦测及/或产生磁流,而耦合于该本体与记录媒体之间;及有装置用以使该信号转移区位置循沿该空隙宽度尺寸上变化。42.如申请专利范围第41项之变换磁头装置,其磁性物质本体系位置于该磁心与记录媒体之间。41.如申请专利范围第41项之变换磁头装置,其磁性物质
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