| 主权项 |
1.一种膜载体,具有树脂制之基膜及层状覆于该基膜上的压延铜箔,该压延铜箔系形成导线部,供搭载半导体晶片等之电子元件,其特征系在:该压延铜箔系含有0.005-1.5重量%之一种或两种以上由下列群所选出之成分:P0.005-0.05重量%、B0.005-0.05重量%、A10.01-0.5重量%、As0.01-0.5重量%、Cd0.01-0.5重量%、Co0.01-0.5重量%、Fe0.01-0.5重量%、In0.01-0.5重量%、Mg0.01-0.5重量%、Mn0.01-0.5重量%、Ni0.01-0.5重量%、Si0.01-0.5重量%、Sn0.01-0.5重量%、Te0.01-0.5重量%、Ag0.01-1重量%、Cr0.01-1重量%、Hf0.01-1重量%、Zn0.01-1重量%、Zr0.01-1重量%以及作为残余成分之Cu或不可避免之不纯物者。2.依申请专利范围第1项所述之膜载体,其中系选择In、Sn及Ag之一种以上者。3.依申请专利范围第1项或第2项所述之膜载体,其中之氧含量在50ppm以下者。4.一种膜载体的制造方法,其特征系在:该膜载体之用以搭载半导体晶片等电子元件之导线部,系藉着:首先预备一种由:含有0.005-1.5重量%之一种或两种以上的从下列群所选出之成分:P0.005-0.05重量%、B0.005-0.05重量%、A10.01-0.5重量%、As0.01-0.5重量%、Cd0.01-0.5重量%、Co0.01-0.5重量%、Fe0.01-0.5重量%、In0.01-0.5重量%、Mg0.01-0.5重量%、Mn0.01-0.5重量%、Ni0.01-0.5重量%、Si0.01-0.5重量%、Sn0.01-0.5重量%、Te0.01-0.5重量%、Ag0.01-1重量%、Cr0.01-1重量%、Hf0.01-1重量%、Zn0.01-1重量%、Zr0.01-1重量%以及作为残余成分之Cu或不可避色之不纯物所构成的铜合金组成物,予以形成压延铜合金,然后再将该压延铜合金予以积层于树脂制之基膜上,而后再予蚀刻而形成者。5.依申请专利范围第4项所述之膜载体的制造方法,其中系选择In、Sn及Ag之一种以上者。6.依申请专利范围第4项或第5项所述之膜载体的制造方法,其中之氧含量在50ppm以下者。7.一种膜载体的制造方法,其特征系在:该膜载体之用以搭载半导体晶片等电子元件之导线部,系藉着:首先预备一种由:含有0.005-1.5重量%之一种或两种以上的从下列群所选出之成分:P0.005-0.05重量%、B0.005-0.05重量%、A10.01-0.5重量%、As0.01-0.5重量%、Cd0.01-0.5重量%、Co0.01-0.5重量%、Fe0.01-0.5重量%、In0.01-0.5重量%、Mg0.01-0.5重量%、Mn0.01-0.5重量%、Ni0.01-0.5重量%、Si0.01-0.5重量%、Sn0.01-0.5重量%、Te0.01-0.5重量%、Ag0.01-1重量%、Cr0.01-1重量%、Hf0.01-1重量%、Zn0.01-1重量%、Zr0.01-1重量%以及作为残余成分之Cu或不可避色之不纯物所构成的铜合金组成物,予以形成压延铜合金,然后再予以最终冷间压延、退火及积层在树脂制之基膜上,而后再予以蚀刻而形成者。8.依申请专利范围第7项所述之膜载体的制造方法,其中系选择In、Sn及Ag之一种以上者。 |
