金属硅化物膜的制作方法和金属氧化物半导体器件

摘要

本发明利用原子层淀积(ALD)方法提供了金属膜，它包含IVB或VB族金属、硅、以及可选的氮。确切地说，本发明提供了一种形成金属硅化物的低温热ALD方法以及一种形成金属氮硅化物膜的等离子体增强原子层淀积(PE－ALD)方法。本发明的方法能够在衬底表面上形成厚度为单层或更少的层的金属膜。本发明提供的金属膜能够被用于接触金属化、金属栅、或作为扩散势垒。

主权项

1.一种制作金属硅化物膜的方法，包括下列步骤：第一暴露，即衬底暴露于第一流量的IVB或VB族金属前体，以便在衬底表面上形成所述金属前体的凝聚和吸附的单层或更少的层；以及第二暴露，即凝聚和吸附的单层或更少的层暴露于第二流量的硅源，其中，所述第一和第二暴露在低于450℃的衬底温度下执行。