发明名称 Method for forming a capacitor of ferro-electric random access memory
摘要
申请公布号 KR100506872(B1) 申请公布日期 2005.08.04
申请号 KR20020086667 申请日期 2002.12.30
申请人 发明人
分类号 H01L21/3205;H01L27/108;C09G1/02;H01L21/02;H01L21/304;H01L21/321;H01L21/8246;H01L27/105;(IPC1-7):H01L27/108 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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