| 主权项 |
1.一种微影投影设备,包括:-一用于提供初级辐射之一投影束的辐射系统;-一用于支撑图案化构件之支撑结构,其中该图案化构件系用于根据一所要图案对该投影束进行图案化;-一用于固持一基板之基板台;-一用于将该图案化射束投影至该基板之一目标部分之上的投影系统;及-一可在该投影束穿过之一路径上移动、用以接受来自该投影束之初级辐射的辐射感应器,该辐射感应器包括:一辐射敏感材料,其将入射初级辐射转换为次级辐射;感应构件,其能侦测自该辐射敏感材料出现之该次级辐射;及一滤光材料,其大体上阻止次级辐射以离开该感应构件之一方向行进。2.如申请专利范围第1项之微影投影设备,其中,对于该初级辐射而言,该滤光材料为透射性。3.如申请专利范围第1或2项之微影投影设备,其中,对于该次级辐射而言,该滤光材料为反射性。4.如申请专利范围第1或2项之微影投影设备,其中,在该滤光材料之前,将该辐射敏感材料施加于离开该感应构件之一方向上。5.如申请专利范围第1或2项之微影投影设备,其中,该滤光材料包含一半透射性金属层。6.如申请专利范围第5项之微影投影设备,其中,该等金属原子系选自由铝或铬组成之群。7.如申请专利范围第1或2项之微影投影设备,其中,该初级辐射具有150至250奈米之波长。8.如申请专利范围第1或2项之微影投影设备,其中,该滤光材料之厚度小于该初级辐射之波长。9.如申请专利范围第1或2项之微影投影设备,其中,该滤光层具有0.5-30奈米之厚度。10.如申请专利范围第1或2项之微影投影设备,其中,该辐射敏感材料包含一具有1-50微米之厚度的层。11.如申请专利范围第1或2项之微影投影设备,其中,该辐射敏感材料系选自由如下材料组成之群:Gd2O2S:Tb、Y2SiO5:Ce、Y2SiO5:Tb、Zn2SiO4:Mn、CaS:Ce、YAG:Ce、ZnS:Ag及ZnS:Al。12.如申请专利范围第1或2项之微影投影设备,其中,该感应构件包含一光电二极体阵列,该等光电二极体具有一5-50微米之像素尺寸。13.如申请专利范围第1或2项之微影投影设备,其中,该滤光层涂敷有一钝化层,该钝化层包含SiO2及/或MgF2及/或CaF2。14.如申请专利范围第1或2项之微影投影设备,其中,该辐射感应器包含一具有一空间变化之传输或相位分布的光学元件。15.一种积体电路装置制造方法,包含如下步骤:-提供一至少部分涂敷有一层辐射敏感材料之基板;-使用一辐射系统提供一辐射投影束;-使用图案化构件使该投影束在其横截面具有一图案;及-将该图案化辐射束投影至该辐射敏感材料层之一目标部分;-使用一可在该投影束穿过之一路径上移动、用以接收来自该投影束之初级辐射的辐射感应器,该感应器包括:一辐射敏感材料,其将入射初级辐射转换为次级辐射;感应构件,其能侦测自该材料出现之该次级辐射;及一滤光材料,其防止次级辐射以离开该感应构件之一方向行进。图式简单说明:图1描绘一根据本发明一实施例之微影投影设备。图2示意性地描绘一根据先前技术之辐射感应器。图3示意性地描绘一根据本发明之辐射感应器。图4示意性地描绘一根据本发明一替代实施例之辐射感应器。图5a系对初级(深紫外线(DUV)辐射之响应之图表。图5b系对次级(可见光)辐射之响应之图表。图6系6奈米厚铬层及铝层之响应之图表。 |
