发明名称 形成含碳磊晶矽层的方法
摘要 于第一态样中,提供一种于基材上形成磊晶层堆叠之方法。此方法包含:(1)选择该磊晶层堆叠之一标的碳浓度;(2)于该基材上形成一含碳矽层,并依据所选择的该标的碳浓度,选择该含碳矽层所具有的一初始碳浓度、一厚度以及一沉积时间中之至少一者;以及(3)于蚀刻前,在该含碳矽层上形成一非含碳矽层。亦提供多种其他态样。
申请公布号 TW200818274 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096128085 申请日期 2007.07.31
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 金以宽;叶祉渊;佐佳兹亚里
分类号 H01L21/205(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 美国