用于非易失性存储器的自升压技术

摘要

以避免编程干扰的方式来编程非易失性半导体存储系统(或其它类型的存储系统)。在包括使用NAND结构的闪存系统的一个实施例中，通过在编程处理期间增加NAND串的源极端的沟道电位来避免编程干扰。一个示例性实施包括将电压(例如Vdd)施加于源极触点以及导通对应于被禁止的单元的NAND串的源极端选择晶体管。另一实施包括在施加编程电压之前将预充电电压施加于对应于被禁止的单元的NAND串的未被选择的字线。

主权项

1、一种对存储系统编程的方法，包括：升压步骤，提升一组存储元件的源极端沟道区的电压电位，所述一组存储元件包括要被禁止的存储元件和被选择用于编程的存储元件，所述升压步骤包括施加预充电电压的步骤，将预充电电压施加于连接到所述要被禁止的存储元件和所述被选择用于编程的存储元件的被选择字线的源极端上的一条或多条字线；施加编程电压的步骤，经由所述被选择的字线，将编程电压施加于所述被选择用于编程的存储元件和所述要被禁止的存储元件；和施加通过电压的步骤，经由被选择的字线的源极端上的一条或多条字线，将通过电压施加于所述一组存储元件的至少一个子集，在所述升压步骤之后执行所述施加通过电压的步骤。