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品是半导体加工用胶带材，用以将已实施了电子电路等的微细加工后的半导体晶圆分割成既定之单位时，所使用的半导体加工用胶带材。
佐以各参考图来做说明。「标示各部名称之参考图」是表示标示有各部名称的前视图，「强调厚度之C-C剖面示意参考图」是表示为了解叠层状态而强调厚度的C-C线剖面之切断端面的示意图。「强调厚度之俯视示意参考图」是为了解各薄膜之叠层状态强调厚度所示之由平面方向观看之端面图。
本物品，如前述之各参考图所示，具有可剥离的黏贴面之圆形的黏结用胶带与叠层在该黏结用胶带上之稍大的圆形的切割用胶带，是沿着长度方向连续贴合在长条的剥离薄膜之上。
如「前视图、部分放大前视图、及标示各部名称之参考图」等所示，为了提升圆形的黏结用胶带与叠层在该切割用胶带上之稍大的圆形的切割用胶带间之一部分
的密着性，于长度方向连续施以雷射标记。
参照「使用状态参考图1及使用状态参考图2」来说明本物品的使用方法。首先，如「使用状态参考图1」所示，从圆筒状卷绕的本物品的剥离薄膜上，将大小两片圆形的切割用胶带与黏结用胶带维持两片重叠的状态剥开来。于此制程中，为了不让切割用胶带与黏结用胶带被剥离，而施以雷射标记。
接着，切割用胶带的周缘部黏贴在环形框的背面，运送到下一个制程。此时，黏结用胶带就会形成从环形框的之孔洞露出来的状态。
在下一个制程中，如「使用状态参考图2」所示，在从环形框露出来的黏结用胶带上，黏贴上已形成着半导体元件的半导体晶圆之后，进入到将半导体晶圆切断(切割)成晶片单位的制程；再者，亦有将对于半导体晶圆之胶带贴合与对于环形框之胶带贴合工作同时进行的情形。
在切割制程中，半导体晶圆被切断成晶片单位之后，即进入到拉伸切割用胶带及黏结用胶带的扩大制程。亦有，在切断成晶片单位之后，扩大制程之前，施以降低在切割制程中，半导体晶圆被切断成晶片单位之后，即进入到拉伸切割用胶带及黏结用胶带的扩张制程。亦有，在切断成晶片单位之后，扩张制程之前，施以降低黏结
用胶带之黏着性的处理(UV照射等)的情形。
在扩张制程中，将保持已被切割的晶片的切割用胶带及黏结用胶带朝周方向拉伸，藉此扩大晶片彼此的间隔，就很容易进行晶片拾取。因为黏结用胶带是附着在已被切割的半导体晶片的背面，所以被拾取的半导体晶片仍然被载置在半导体封装基板等。
本衍生设计与原设计之外观差异在于：如A-A、B-B部之放大前视图所示，两者之雷射标记位置略有所不同，故与原设计案之差异些微，不影响原设计与衍生设计之近似。
本设计在前视图中呈现可朝左右连续(亦即本物品应为长条状，但为了方便制图，仅截取一段绘制)。
仰视图与俯视图相对称，仰视图省略。
左侧视图与右侧视图相对称，左侧视图省略。
剥离薄膜、周边胶带、切割用胶带、及支承胶带为透明。黏结用胶带具有透光性。
由于切割用胶带及剥离薄膜为透明，因此可从正面及背面，以眼睛来辨识被夹持在剥离薄膜及切割用胶带之间的黏结用胶带。
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