垂直ＮＡＮＤ素子のための新規のマスク除去方法

摘要

ドープされたアモルファスカーボンマスクを半導体基板から除去する方法が開示される。該方法は、基板の処理において使用されるプラズマを生成すること、その際、前記プラズマは酸素含有ガス、ハロゲン含有ガスおよび水素含有ガスを含む、および基板を前記プラズマに曝露させることによって基板を処理することを含む。前記ドープされたアモルファスカーボンマスクは、ホウ素をドープされたアモルファスカーボンマスクまたは窒素をドープされたアモルファスカーボンマスクであってよい。該方法は、約１０００オングストローム／分〜約１２０００オングストローム／分の範囲であるマスク除去速度をもたらすことができる。さらには、プラズマ処理前、プラズマ処理後、またはその両方で、ガスを基板に施与して、基板膜中に見つけられる欠陥またはピンホールの量を低減できる。