半導体装置およびその製造方法

摘要

半導体基板に複数の電力制御用半導体素子を形成して、隣接する半導体素子を区画する帯状のダイシング領域が交差する交差領域において、交差領域を被覆する応力緩和樹脂層（７）を形成し、交差領域をダイシングして応力緩和樹脂層（７）を切断して半導体素子を個片化する。これにより、ＳｉＣなどの化合物半導体基板を用いた半導体素子においても、封止樹脂との接着力が高く、動作時の熱応力によって封止樹脂のクラックや剥離を起こしにくい半導体装置を得る。