TRANSISTOR SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE TRANSISTOR AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

본 발명은 산화물 반도체층을 갖는 트랜지스터 또는 상기 트랜지스터를 구비한 반도체 장치에 있어서, 전기적 특성의 열화가 억제하는 것을 하나의 과제로 한다. 산화물 반도체를 채널층으로서 사용하는 트랜지스터에 있어서, 산화물 반도체층 표면과 접촉되도록 실리콘층이 형성됨과 함께, 상기 실리콘층 위에 불순물 반도체층이 형성되고, 상기 불순물 반도체층에 전기적으로 접속되도록 소스 전극층 및 드레인 전극층이 형성되는 구성이 된다.