Tunnel diodes wherein the height of the reduced cross section of the mesa is minimized and process of making,申请号US19660607119-传众专利搜索

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发明名称	Tunnel diodes wherein the height of the reduced cross section of the mesa is minimized and process of making
摘要
申请公布号	US3408275(A)	申请公布日期	1968.10.29
申请号	US19660607119	申请日期	1966.12.09
申请人	SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	KESEL GUNTHER
分类号	H01L21/3063;H01L29/00	主分类号	H01L21/3063
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