| 发明名称 |
Sub-micron bonded SOI trench planarization. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0639858(A3) |
申请公布日期 |
1996.10.09 |
| 申请号 |
EP19940306088 |
申请日期 |
1994.08.18 |
| 申请人 |
HARRIS CORPORATION |
发明人 |
MCLACHLAN, CRAIG J.;RIVOLI, ANTHONY L. |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/02;H01L21/304;H01L21/762;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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