| 发明名称 | 刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 即使在刻蚀刻蚀部分面积大于光刻胶掩模面积样品的情况下,可靠地获得所需刻蚀形状。通过利用提供有机物质电离的加工气体来刻蚀具有面积为30%或更小的光刻胶掩模105图案的样品。 | ||
| 申请公布号 | CN1177204A | 申请公布日期 | 1998.03.25 |
| 申请号 | CN97118234.5 | 申请日期 | 1997.09.09 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 金清任光;滨崎良二;石津尚澄 |
| 分类号 | H01L21/3065;C23F1/12 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.刻蚀方法，使用加工气体刻蚀光刻胶掩模面积是30％或更小的样品，该气体通过提供有机物质而被电离。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||