发明名称 |
具有电极之半导体装置及具有电极之半导体装置的制造方法 |
摘要 |
本发明之半导体装置的制造方法,系包含:介由控制闸极绝缘膜(4)形成控制闸极电极(5)之第1电极形成步骤;于半导体基板(1)的表面上形成记忆节点绝缘膜(6)的步骤。又包含:于记忆节点绝缘膜(6)的表面上形成记忆体闸极电极之第2电极形成步骤。第2电极形成步骤,系包含:于记忆节点绝缘膜(6)的表面上形成记忆体闸极电极层(7a)的步骤;于记忆体闸极电极层(7a)的表面上形成蚀刻速度较记忆体闸极电极层(7a)更慢之辅助膜(8)的步骤;及对记忆体闸极电极层(7a)及辅助膜,进行异方性蚀刻的步骤。 |
申请公布号 |
TW200733309 |
申请公布日期 |
2007.09.01 |
申请号 |
TW095145945 |
申请日期 |
2006.12.08 |
申请人 |
瑞萨科技股份有限公司 |
发明人 |
冈崎勉;芦田基;小崎浩司;古贺刚;冈田大介 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
洪澄文 |
主权项 |
|
地址 |
日本 |