铜/钌基板之化学机械抛光(CMP) CMP OF COPPER/RUTHENIUM SUBSTRATES

摘要

本发明提供一种化学机械抛光基板之方法。使一包含钌及铜之基板与一包含抛光组件、过氧化氢、有机酸、至少一种包含至少一个氮原子之杂环化合物及水的化学机械抛光系统接触。使该抛光组件相对于该基板移动，且研磨该基板之至少一部分以抛光该基板。该抛光系统之pH值为6至12，钌与铜系电接触，且于该抛光系统中铜之开路电位与钌之开路电位之差为50 mV或更低。