| 主权项 |
1.一种用于将此形成多个矩形单位液晶显示面板 之基板之矽层结晶化之可变遮罩装置,此装置包含 : 一框架,其界定一矩形开口; 一X方向致动器,用于控制此开口之宽度;以及 一Y方向致动器,用于控制此开口之长度。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中,该框架系具 有一钳形。 3.如申请专利范围第1项之装置,其中受到该致动器 控制之开口的宽度,系至多15m。 4.如申请专利范围第1项之装置,其中受到该致动器 控制之开口的长度,系长于一基板上面所形成之单 位液晶显示面板者。 5.一种可使矽层结晶化之方法,其包含之步骤有: 提供一基板,使其上形成多数之单位液晶显示器( LCD)面板; 使一具有一可变矩形开口之遮罩,排齐在此基板上 面; 使用一雷射光束,透过该开口照射该矽层,而使此 矽层结晶化;以及 使该基板沿X方向,移动一段扫描距离,照射此矽层, 以及重复此等移动及照射,直至该矽层完全结晶化 为止。 6.如申请专利范围第5项之方法,其进一步系包括控 制上述开口之长度,使大于一要被照射之单位LCD面 板之长度。 7.如申请专利范围第5项之方法,其进一步系包括藉 由仅沿X方向扫描该基板,使所有之单位LCD面板结 晶化。 8.如申请专利范围第5项之方法,其中,该基板沿X方 向之移动距离,系小于上述开口之宽度的1/2。 9.如申请专利范围第5项之方法,其进一步系包括控 制上述可变开口之宽度和长度。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中,该可变开口 之宽度和长度,系由不同之致动器来控制。 11.如申请专利范围5项之方法,其进一步系包括仅 控制上述可变开口之长度,此可变开口之宽度系使 固定。 12.如申请专利范围第5项之方法,其进一步系包括 控制上述可变开口之长度,藉以使每一个别之单位 LCD面板,仅沿X方向扫描该基板,而加以结晶化。 13.如申请专利范围第5项之方法,其中被照射之矽 层,系由一非晶形矽层所构成。 14.一种可使半导体层结晶化之方法,其包含之步骤 有: 提供一基板,使其上形成多数各含有半导体层之面 板; 使一具有一可变矩形开口之遮罩,排齐在一多数面 板中之一内之的半导体层上面;以及 透过该开口使用一雷射光束,重复地照射该半导体 层,而使此半导体层结晶化,以及在照射此半导体 层之后,至少移动该等遮罩或基板中的一个,直至 在照射另一面板内之半导体层前,一多数面板中之 一内之的半导体层,已完全被照射为止。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中,当每一面板 正个别地被照射时,该基板系仅沿一方向移动。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中,不同尺寸之 面板,系使布置在该基板上面,以及上述开口之长 度,系控制使大于上述正被照射之面板的长度。 17.如申请专利范围第14项之方法,其中,该等遮罩或 基板中之至少一个的移动距离,系小于上述开口在 X方向之宽度的1/2。 图式简单说明: 第1图系一可显示一雷射强度与此雷射强度所形成 之结晶的尺寸之间的关系之曲线图; 第2图系一可显示一侧向固化结晶之平面图; 第3图系一可显示一使用一遮罩之序列侧向固化结 晶的剖面图; 第4A至4C图系一些可显示一使用一遮罩来执行一SLS 之程序的拟态图; 第5A和5B图系显示一依据本发明用以使矽层结晶化 之可变遮罩装置; 第6图系一可显示一依据本发明使用该可变遮罩装 置使矽层结晶化之SLS方法的剖面图;而 第7图则系一可显示一依据本发明使用一内含该可 变遮罩装置之雷射光束产生装置的方法之平面图 。 |
