薄膜电晶体，其制造方法，及半导体装置

摘要

本发明提供一种通过雷射结晶化法使晶界在一个方向上一致的结晶半导体膜及其制造方法。当通过利用线状雷射使形成在基板上的半导体膜结晶化时，使用其中凹凸被形成为条形的相移掩模。形成在相移掩模上的条形凹凸，藉以形成与线状雷射的长轴方向形成近似于垂直的角度。使用连接振荡雷射作为雷射，并且该雷射的扫描方向与条形凹凸（槽）的方向大体上平行。通过在长轴方向上周期性地改变雷射的亮度，可以控制完全熔化的半导体膜的结晶核生成位置。