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发明名称
电子束处理装置及使用碳奈米管发射器的方法
摘要
本发明显示半导体制程中选择性蚀刻之方法与装置。反应室中所产生之化学物种提供选择性蚀刻功能并同时地在其他区域形成保护涂层。电子束提供活性化作用予选择性化学物种。在一范例中,反应物种系由电浆源产生以提供一增加之反应物种密度。增加其他气体至系统中得提供例如在处理作业期间控制保护层中化学性质之功能。在一范例中,电子束阵列如碳奈米管阵列系用于在处理作业期间选择性地使表面曝光。
申请公布号
TW200830366
申请公布日期
2008.07.16
申请号
TW096130057
申请日期
2007.08.14
申请人
美光科技公司
发明人
尼尔R 鲁格;马克J 威廉森;高提杰S 珊得胡
分类号
H01L21/04(2006.01);H01J37/30(2006.01)
主分类号
H01L21/04(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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