| 摘要 |
1. Способ изготовления датчика (1) изображения, освещаемого с задней стороны (14), включающий в себя стадии, на которых:начинают с пластины (2), имеющей первую (3) и вторую (4) поверхность,создают светочувствительные области (5) пикселей, простирающиеся в пластину от первой поверхности (3),прикрепляют пластину к защитной подложке (7) так, что первая поверхность (3) обращена к этой защитной подложке (7),отличающийся тем, что пластина содержит подложку (8) из первого материала с оптическим прозрачным слоем (9) и слоем полупроводникового материала (10), причем подложку (8) селективно удаляют со слоя (10) полупроводникового материала, используя оптический прозрачный слой (9) в качестве тормозящего слоя.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что оптический прозрачный слой (9) является слоем углубленного оксида КНД-пластины.3. Способ по п.2, отличающийся тем, что на слое полупроводникового материала эпитаксиально выращивают дополнительный полупроводниковый слой (11), при этом общая толщина полупроводникового слоя составляет менее 5 мкм.4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что на оптическом прозрачном слое (9) создают цветофильтр (12).5. Способ по пп.1-3, в котором перед прикреплением пластины к защитной подложке на первой стороне (6) пластины создают рисунок (13) металлизации, отличающийся тем, что этот рисунок металлизации выполняют так, что поступающий от задней стороны (14) свет отражается рисунком металлизации к светочувствительным областям (5) пикселей.6. Способ по п.5, отличающийся тем, что рисунок (13) металлизации является многоуровневой металлизацией, в которой металлические уровни (16) действуют как отражатели, так что в различных светочувствитель� |
