发光二极管和制造该发光二极管的沉积装置

摘要

本发明提供了一种发光二极管和制造该发光二极管的沉积装置，该发光二极管包括：第一电极，其包括反射金属层和形成在所述反射金属层上的透明导电材料层；发射材料层，其形成在所述第一电极上并且包括用主体以及第一掺杂物和第二掺杂物形成的发光层；以及第二电极，其形成在所述发射材料层上并且是半透明电极，其中，与所述第一掺杂物的光致发光（PL）光谱的峰值对应的第一波长比与所述第一掺杂物的电致发光（EL）光谱的峰值对应的第二波长短，与所述第二掺杂物的PL光谱的峰值对应的第三波长比与所述第二掺杂物的EL光谱的峰值对应的第四波长长。

主权项

一种制造发光二极管的沉积装置，该沉积装置包括：腔室，所述腔室具有内部空间；基板支承件，所述基板支承件布置在所述腔室的上部空间中并且被构造成支承基板；第一炉，所述第一炉布置在所述腔室的下部空间中并且储存第一源，所述第一炉定位为垂直于所述基板的表面；第二炉，所述第二炉布置在所述腔室的下部空间中、所述第一炉的一侧，并且储存第二源，所述第二炉定位为相对于所述基板的表面成第一角度；以及第三炉，所述第三炉布置在所述腔室的下部空间中、所述第一炉的另一侧，并且储存第三源，所述第三炉定位为相对于所述基板的表面成第二角度。