| 发明名称 |
Semiconductor device having p-n junction defined by the boundary between two intersecting semiconductor layers |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3337374(A) |
申请公布日期 |
1967.08.22 |
| 申请号 |
US19640401554 |
申请日期 |
1964.10.05 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION |
发明人 |
DOBSON CHRISTOPHER DAVID |
| 分类号 |
B21J7/24;H01L33/00;H01S5/32 |
主分类号 |
B21J7/24 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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