| 发明名称 |
HIGH VOLTAGE TRANSIENT PROTECTION FOR AN INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3512058(A) |
申请公布日期 |
1970.05.12 |
| 申请号 |
USD3512058 |
申请日期 |
1968.04.10 |
| 申请人 |
RCA CORP. |
发明人 |
HESHMAT KHAJEZADEH;LEWIS A. JACOBUS JR. |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L27/02;H01L29/00;H03F1/52;H03K17/0812;(IPC1-7):H01L19/00 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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