| 发明名称 |
FORMING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR CONDUCTIVE LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS64735(A) |
申请公布日期 |
1989.01.05 |
| 申请号 |
JP19870168206 |
申请日期 |
1987.07.06 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
SUGITANI SUEHIRO;YAMAZAKI KIMIYOSHI;YAMAZAKI HAJIME |
| 分类号 |
H01L21/324;H01L21/265;H01L21/338;H01L29/80;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/324 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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