快闪电性可抹除只读存储器

摘要

一种快闪电性可抹除只读存储器，其特色为以热载子注射执行编码，并且以负栅极电压执行通道抹除。此存储器的结构特征为具有用以在存储器抹除操作时形成一独立绝缘井的三井结构，其包括一P井与一N井位于一P基底内，以及以N井隔离P井与P基底。

主权项

1.一种快闪电性可抹除只读存储器，包括：一P基底；一N井，位于所述P基底内；一P井，位于所述N井内，且所述N井隔离所述P井与所述P基底；一源/漏极区对，位于所述P井内；一浮置栅极，位于所述P井上方介于所述源/漏极区对之间；以及一控制栅极，位于所述浮置栅极上方；其中，所述快闪电性可抹除只读存储器在抹除操作时，可于所述N井/所述P井施加一第一正电压，并配合于所述控制栅极施加一第一负电压，而所述源极区与所述漏极区为浮接，以此方式使得快闪电性可抹除只读存储器得以进行通道抹除操作。