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Um auf einfache und kostengünstige Weise eine homogene Behandlung von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, in einem mit Behandlungsfluid gefüllten Behandlungsbecken vorzusehen, sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren und eine Vorrichtung vor, bei dem bzw. bei der die Substrate im Behandlungsbecken so gedreht werden, dass ein zuerst in das Behandlungsfluid eingeführtes Ende als erstes aus dem Behandlungsfluid herausbewegt wird.
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