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Die Erfindung betrifft eine nichtflüchtige NOR-Eintransistor-Halbleiterspeicherzelle sowie dazugehörige Halbleiterspeichereinrichtungen, Herstellungsverfahren und Verfahren zu deren Programmierung, wobei eine Bitleitung (BL, 7, 10) zum zeilenweisen Ansteuern der Source/Draingebiete (S/D) im Wesentlichen unterhalb der Wortleitungen (WL1) zum spaltenweisen Ansteuern der Steuerschicht (13) einer Eintransistor-Halbleiterspeicherzelle und oberhalb der Source/Draingebiete (S/D) angeordnet ist. Aufgrund eines wegfallenden zusätzlichen Kontaktes und der sublithografischen Ausbildung der Bitleitungen erhält man dadurch einen stark verringerten Flächenbedarf und eine verbesserte Integrationsdichte.
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