| 发明名称 | 高电压集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高电压集成电路，其包含P衬底。N阱隔离栏设置在所述衬底中。形成P阱的分开的P扩散区域设置在所述衬底中，用于充当隔离结构。低电压控制电路定位在所述N阱隔离栏外。浮置电路定位在所述N阱隔离栏内。所述浮置电路中的器件的最大相距空间受限制，从而在所述浮置电路与所述衬底之间形成高电压接合隔离栏。 | ||
| 申请公布号 | CN1889267A | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
| 申请号 | CN200610110015.9 | 申请日期 | 2006.07.28 |
| 申请人 | 崇贸科技股份有限公司 | 发明人 | 蒋秋志;黄志丰;伍佑国;林隆世 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种高电压集成电路，其特征在于包含：P衬底；位于所述衬底中的N阱隔离栏；控制电路，设置在所述N阱隔离栏外；浮置电路，定位在所述N阱隔离栏内；以及在将预定高电压施加到所述浮置电路时形成的用于使所述浮置电路与所述控制电路隔离的高电压隔离栏。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北县 | ||