发明名称 Method for incorporating germanium into a semiconductor wafer
摘要 A method of fabricating a semiconductor wafer includes fabricating a gate electrode on a silicon substrate of the semiconductor device and incorporating germanium into the silicon substrate thereafter.
申请公布号 US7262119(B1) 申请公布日期 2007.08.28
申请号 US20030423184 申请日期 2003.04.25
申请人 LSI CORPORATION 发明人 MIRABEDINI MOHAMMAD
分类号 H01L21/24 主分类号 H01L21/24
代理机构 代理人
主权项
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