| 主权项 |
1.一种导电性聚合物薄膜之制法,其包含使用一浸渍于电解聚合溶液内之工作电极及反向电极,于一含有氟碳界面活化湖及掺杂剂电解掖之电解聚合溶液内,电聚合一在聚合时可提供共轭双键之单体,但是对于阳极氧化电解聚合,使用除了阴离子氟碳界面活化剂外之氟碳界面活化剂,而对于阴极澴原电解聚合,使用除了阳离子无碳界面活化剂外之氟碳界面活化剂者。2.如申请专利范围第1项所述之制法,其中单体为 咯、喃、苯喃、苯胺、苯或其衍生物者。3.如申请专利范围第1项所述之制法,其中氟碳界面活化剂为阴离子界面活化剂、两性氟碳界面活化剂、阳离子氟碳界面活化剂或非离子氟碳界面活化剂者。4.如申请专利范围第3项所述之制法,其中氟碳界面活化剂系选自过氟烷基磺酸铵、过氟烷基磺酸钾、过氟烷基羧酸钾、过氟烷基菾菜 、过氟烷基-氧化乙烯加合物、过氟(聚氧乙烯乙醇)、过氟烷基烷氧化物、氟化烷基酯及过氟烷基季铵盐者。5.如申请专利范围第1项所述之制法,其中该掺杂剂电解质为烷基苯磺酸盐。6.如申请专利范围第1项所述之制法,其中该电解聚合溶液包含一水、有机溶剂或水与有机溶剂之混合物之溶液者。7.如申请专利范围第1项所述之制法,其中聚合为阳极氧化电解聚合且该氟碳界面活化剂为两性氟碳界面活化剂、非离子氟碳界面活化剂或阳离子氟碳界面活化剂者。8.如申请专利范围第1项所述之制法,其中聚合为阴极还原电解聚合且该氟碳界面活化剂为两性报碳界面活化剂、非离子氟碳界面活化剂或阴离子氟碳界面活化剂者。9.如申请专利范围第1项所述之制法,其中聚合溶液内界面活化剂之量为0.01-0.5g/ 者。10.如申请专利范围第1项所述之制法,其中聚合熔液内单体之浓度为0.01-2莫耳/ 者。11.如申请专利范围第1项所述之制法,其中聚合熔液内掺杂剂电解质之浓度为0.01-5莫耳/ 者。12.如申请专利范围第1项所述之制法,其中工作电极之材料为铂、金、不锈钢、镍、碳、由铱/锡氧化物在玻璃表面上之蒸气沈积所得之导电性玻璃者。13.如申请专利范围第1项所述之制法,其中单体为 咯而工作电极之材料为不锈钢者。14.如申请专利范围第1项所述之制法,其中单体为 咯、 |
