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Eine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung beinhaltet einen Graben, der von einer Oberfläche einer Drift-Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps ausgebildet ist, die auf einem Substrat des ersten Leitfähigkeitstyps ausgebildet ist, und eine tiefe Schicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die sich an einer Position in der Drift-Schicht unter dem Bodenabschnitt des Grabens befindet. Die tiefe Schicht ist derart in einem bestimmten Abstand von Basisbereichen des zweiten Leitfähigkeitstyps ausgebildet, die auf der Drift-Schicht ausgebildet sind, dass sie eine Breite aufweisen, die breiter als die Breite des Bodenabschnitts des Grabens ist und beide der Eckabschnitte des Bodenabschnitts des Grabens umgibt.
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