具有多重氮氧化物层之氧化物-氮化物-氧化物堆叠

摘要

明提供一种包括矽-氧化物-氮氧化物-氧化物-矽结构之半导体装置及其形成方法。一般而言，该结构包含：在包括矽之基板之表面上的隧道氧化物层；多层电荷储存层，其包括该隧道氧化物层上之富氧第一氮氧化物层，其中该第一氮氧化物层之化学计算量组成导致其实质上无陷阱，及该第一氮氧化物层上之贫氧第二氮氧化物层，其中该第二氮氧化物层之化学计算量组成导致其陷阱致密；该第二氮氧化物层上的阻挡氧化物层；及该阻挡氧化物层上的含矽闸极层。亦揭示其他具体实例。

主权项

一种矽-氧化物-氮氧化物-氧化物-矽结构，其包含：在包含矽之基板之表面上的隧道氧化物层；多层电荷储存层，其包括在该隧道氧化物层上之第一氮氧化物层，其中该第一氮氧化物层中氧之浓度为约15%至约40%，导致其实质上无陷阱；及在该第一氮氧化物层上之第二氮氧化物层，其中该第二氮氧化物层中氧之浓度低于约5%，导致其陷阱致密，其中该第二氮氧化物层进一步包含约5%至约15%之碳浓度以增加其中陷阱数目；在该第二氮氧化物层上的阻挡氧化物层；及在该阻挡氧化物层上的含矽闸极层。