发明名称 |
一种为存储单元提供稳定电压的系统 |
摘要 |
本发明涉及一种为存储单元提供稳定电压的系统。该系统包括:恒流电路、电流镜、PMOS管MP1、六个NMOS管MN1至MN6;其中,电流镜上电流相同的两端分别与恒流电路的输出端及MP1的源极相连;MP1的栅极与MN6的栅极相连,进而接一使能信号;MP1的漏极分别与MN3的栅极、MN4的漏极、MN5的栅极和漏极、MN6的漏极相连;MN4的栅极分别与MN3的源极以及MN1的漏极相连;MN1的栅极与MN2的栅极均接电源;MN1的源极与MN2的漏极相连;MN2的源极接存储单元;MN4的源极、MN5的源极以及MN6的源极均接地。本发明能向存储单元提供不随电源电压改变的稳定电压。 |
申请公布号 |
CN103377696B |
申请公布日期 |
2016.06.08 |
申请号 |
CN201210122819.6 |
申请日期 |
2012.04.24 |
申请人 |
北京兆易创新科技股份有限公司 |
发明人 |
刘铭;张赛;程莹 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 |
代理人 |
孙皓晨;张爱莲 |
主权项 |
一种为存储单元提供稳定电压的系统,其特征在于,该系统包括:恒流电路、电流镜、P沟道金属氧化物半导体场效应管MP1、六个N沟道金属氧化物半导体场效应管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5和MN6;其中,所述电流镜上电流相同的两端分别与所述恒流电路的输出端以及MP1的源极相连;MP1的栅极与MN6的栅极相连,进而接一使能信号;MP1的漏极分别与MN3的栅极、MN4的漏极、MN5的栅极和漏极、MN6的漏极相连;MN4的栅极分别与MN3的源极以及MN1的漏极相连;MN1的栅极与MN2的栅极均接电源;MN1的源极与MN2的漏极相连;MN2的源极接所述存储单元;MN4的源极、MN5的源极以及MN6的源极均接地。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 |