| 摘要 |
본 발명의 실시예들은 변형된 채널 영역들을 갖는 트랜지스터 구조들을 제공한다. 변형은 트랜지스터의 채널 영역에 대한 소스 및 드레인 영역들의 격자 불일치들을 통해 생성된다. 본 발명의 실시예들에서, 트랜지스터 채널 영역들은 게르마늄, 실리콘, 게르마늄 및 실리콘의 조합, 또는 게르마늄, 실리콘, 및 주석의 조합으로 구성되고 소스 및 드레인 영역들은 도핑된 III-V 화합물 반도체 재료로 구성된다. 본 발명의 실시예들은 예를 들어 트리게이트, 바이게이트, 및 단일 게이트 트랜지스터들 및 나노와이어들 또는 나노리본들로 구성된 채널 영역을 갖는 트랜지스터들과 같은 다양한 트랜지스터 구조들에 유용하다. |
