晶片级封装及制造方法

摘要

介绍了一种由两个优选地材料相同的压电晶片构成的密封的晶片级封装以及一种用于该晶片级封装的制造方法。两个晶片之间的电连接和机械连接借助框架结构和柱体来实现，所述框架结构和柱体的分布在两个晶片上的部分结构借助连接层而被晶片接合。

主权项

用于电器件的晶片级封装，－ 具有第一压电晶片（WF1），第一器件结构（BES1）被布置在所述第一压电晶片的第一表面上，－ 具有第二压电晶片（WF2），第二器件结构（BES2）被布置在所述第二压电晶片上，－ 具有金属框架结构（RS），所述金属框架结构与第一压电晶片的第一表面以及第二压电晶片的表面连接，使得被金属框架结构包围的、密封的空腔（CV）被构建在两个晶片之间，－ 具有在第二压电晶片的背离所述空腔的表面上的电连接端子（ET），－ 具有柱状的电连接部（PI），其在所述空腔内被支撑在第一和第二压电晶片上，并且与第一器件结构和/或第二器件结构电连接，－ 具有在所述空腔内在第一和第二压电晶片的内表面上的接触垫片，－ 其中第一器件结构（BES1）和第二器件结构的至少部分被包围在所述空腔内，并且通过穿通接触部（DK）穿过第二压电晶片（WF2）与电连接端子（ET）连接，－ 其中所有穿通接触部（DK）在金属框架结构（RS）上、在柱状的电连接部（PI）或者接触垫片上终止，而不损坏所述空腔（CV）的密封性，－ 其中所述金属框架结构、所述柱状的电连接部和所述接触垫片由铜构成，－ 其中铜线圈作为第二器件结构（BES2）之一被布置在第二压电晶片（WF2）的底面或者正面上，并且与第一器件结构（BES1）和/或第二器件结构（BES2）导电连接。