半导体检测结构及检测方法

摘要

一种半导体检测结构及对应的检测方法，所述半导体检测结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；所述半导体衬底内至少形成三个贯穿其厚度的硅通孔；位于所述半导体衬底第一表面的分立的金属互连层，所述金属互连层具有加载节点和测试节点，各金属互连层与相应的硅通孔相连接；位于所述半导体衬底第二表面的再分配层，所述再分配层依次与每个硅通孔的底部电学连接。将偏置电流施加在待检测硅通孔和位于其一侧的第一测试硅通孔对应的加载节点间，通过在待检测硅通孔和位于其另一侧的第二测试硅通孔之间相应的测试节点测量对应的电压，就能获得待检测硅通孔的电阻，从而判断所述待检测硅通孔内是否有缺陷。

主权项

一种半导体检测结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；其特征在于，还包括：所述半导体衬底内至少形成三个贯穿其厚度的硅通孔；位于所述半导体衬底第一表面的分立的金属互连层，所述金属互连层具有加载节点和测试节点，各金属互连层与相应的硅通孔相连接；位于所述半导体衬底第二表面的再分配层，所述再分配层依次与每个硅通孔的底部电学连接。