| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von P-N-Schichten in Halbleiterkoerpern durch Eintauchen in eine Schmelze |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE974364(C) |
申请公布日期 |
1960.12.01 |
| 申请号 |
DE1953S033971 |
申请日期 |
1953.06.20 |
| 申请人 |
SYLVANIA ELECTRIC PRODUCTS INCORPORATED |
发明人 |
ALEXANDER BEN HOWES |
| 分类号 |
C30B15/00;H01L21/18;H01L21/24 |
主分类号 |
C30B15/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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